氮化¼‹…é“实际上是通过氮化处ç†èŽ·å¾—çš„ã€‚ç¡…é“çš„ä¸»è¦æˆåˆ†æ˜¯ç¡…å’Œé“。许多ähå¯?a href="/protype114914.html" target="_blank">氮化¼‹?/strong>铿œ‰ä¸€å®šçš„了解åQŒä½†ä»–们了解氮化¼‹…é“的功能和应用范围。然而,ä¸ÞZº†å¸®åŠ©è®¸å¤šç”¨æˆ·æ›´å¥½åœîCº†è§£ç¡…åQŒç®€è¦ä»‹¾l了¼‹…的基本信æ¯ã€?br />
¼‹…具有特别明昄¡š„éžé‡‘å±žç‰¹æ€§ï¼Œå¯æº¶äºŽé‡‘属氢氧化物,产生¼‹…ç›é…¸å’Œæ°®æ°”。电ååœ¨åŽŸåæ ¸å¤–åQŒèƒ½æºæ°´òq³ä»Žä½Žç¡…原å到高åQŒä»Žå†…到外,层层环绕åQŒç§°ä¸ºç”µåå£³å±‚ç»“æž„ã€‚ç¡…åŽŸåæ ¸å¤–电å的有两个电ååQŒç¬¬äºŒå±‚有八个电å,以达到稳定状æ€ã€‚外层有四ç§ç”µååQŒå³ä»äh ¼ç”µååQŒåœ¨¼‹…原å的导电性方é¢è“vç€ä¸Õd¯¼ä½œç”¨ã€?
氮化¼‹…é“通常以硅åˆé‡‘或å•è´¨ç¡…ä¸ºåŽŸæ–™ï¼Œé‡‡ç”¨æ°®åŒ–æŠ€æœ¯è¿›è¡Œé«˜æ¸©åˆæˆã€‚以下两ç‚ÒŽ˜¯å½±å“åˆæˆæ•ˆæžœçš„é‡è¦å› ç´ ã€?br />
1。硅é“ç²’åº?br />
æ°®å«é‡ä¸Žäº§ç‰©çš„æÛå«é‡ä¸Žå应温度的关系。(d50åQ‰äØ“13ã€?1μmæ ähÛå«é‡éšæ¸©åº¦çš„å‡é«˜è€Œé€æ¸å¢žåŠ ã€‚ä¸ä½å¾„éšæ¸©åº¦çš„å‡é«˜è€Œå¢žåŠ ï¼ˆd50åQ‰äØ“8ã€?23μmå’?ã€?29μmæ ähÛå«é‡å˜åŒ–䏿˜Žæ˜¾ï¼Œä¸è§„åˆ™ã€‚å„æ¸©åº¦ŒD‰| ·å“FS5häº§å“æ°®å«é‡æ˜Žæ˜ùN«˜äºŽæ ·å“FS10hã€FS15häº§å“æ°®å«é‡ã€‚这表明¼‹…é“å’ŒæÛçš„å应会释放大é‡çš„çƒé‡ï¼ŒFe它è“vç€å‚¬åŒ–剂的作用。硅é“è¶Šè–„ï¼Œæ ·å“çš„å”隙率‘Šå°åQŒæ¯”表颿U¯è¶Šå¤§ï¼Œå应‘Šå¿«åQŒå应越强烈。但¼‹…é“颗粒之间的烧¾l“越严é‡åQŒåª„å“æÛæ°”的扩散åQŒæÛ化效果越差。粗¾_’è¯•æ ·å°äºŽè¡¨é¢ç§¯åQŒæÛ化å应更½E›_®šã€‚éšç€æ¸©åº¦çš„å‡é«˜ï¼Œæ°®åŒ–更充分ã€?br />
2。æÛ化温åº?br />
¾_’度ž®äºŽ744mçš„FeSiä»?5¾_‰äؓ原料åQŒæµ“åº¦äØ“5åQ…çš„èšä¹™çƒ¯é†‡ä¸ºç²˜åˆå‰‚ã€‚æ·»åŠ èƒ¶æ°´çš„æ¯”ä¾‹ä¸?åQ…。在氧化é“ç ”½I¶ä½“ä¸ç ”¼‚¨ä¸Š˜q°æØœåˆç‰©åQŒæ…拌å‡åŒ€åQŒåŠ åŽ‹é€ ç²’åQŒç”¨ä¸€¾pÕdˆ—æŠ€æœ¯åŠ å·¥æˆé•¿å¯æ–™ã€‚ç„¶åŽï¼Œåœ?400ã€?500ã€?600å’?700℃的温度å’?ã€?MPa氮化实验在æÛ气下˜q›è¡Œã€‚ä‹É用的氮气æ˜?9ã€?9åQ…çš„é«˜çº¯æ°®ã€‚ä¿æ¸©æ—¶é—´äØ“3ž®æ—¶ã€‚当温度ä¸?400时℃å’?500℃æÛåŒ–ç‰©çš„ç‰©ç›æ€¸»è¦æ˜¯‚Î-Si3N4ã€æ®‹ç•™çš„Siå’ŒFeSi2。当温度ä¸?600℃和1700℃æÛåŒ–ç‰©çš„ç‰©ç›æ€¸»è¦æ˜¯‚Î-Si3N4ã€Î?Si3N4å’ŒFe3Siã€‚åœ¨æ¸©åº¦é€æ¸å‡é«˜çš„过½E‹ä¸åQŒÎ?Si3N4逿¸å‡å°‘åQŒÎ?Si3N4。高温æÛ化比低温氮化更完整。Si3N4昑־®å½¢çŠ¶ä¸ºé’ˆæŸÞqŠ¶å’Œé•¿æŸÞqжã€?br />
截至以上便是ž®ç¼–æ€È»“çš„å…³äºŽå“ªäº›å› ç´ ä¼šå½±å“æ°®åŒ–¼‹…é“åˆæˆçš„å‡ å¤§å› ç´ ï¼Œå¸Œæœ›å¯¹å¤§å®¶æœ‰æ‰€å¸®åŠ©åQŒæœ‰ä»ÖM½•问题åQŒæ¬¢˜qŽåœ¨¾|‘ç«™¾l™å°¾~–ç•™a€ã€?br />