氮化锰薄膜的制作Ҏ(gu)是什?/h1>
来源Qhttp://www.zhengbodiaosu.com/news928566.html发布旉Q?022/11/9 0:00:00
其实Q作ZU化材料,氮化?/strong>可以应用在不同的领域中。由于锰、的各U作用,在炼刉强度钢、不锈钢、耐热钢时需要同时加人锰、元素。以单质形式加入锰、两种元素Ӟ存在如的溶解度低、密度小、不易加入及(qing)氮的d量不易控制等~点。然而,以锰化合物形式加入Ӟ不仅易于加入Qƈ且锰、的利用率也高?br />
Z能够加深大家?a href="/protype114916.html" target="_blank">氮化?/strong>的了解,掌握更多关于氮化?/strong>的应用范_(d)向大家单的讲一下化锰薄膜的制作方法。传l的Mn基阻挡层主要通过PVD共沉UCuMn复合材料Q然后用热退火处理,使Mn扩散介质表面来实现。但是,在退火过E中QCu与low-k(比如SiCOH)介质直接接触Q将?x)导致Cu在介质材料中扩散;而且形成的MnSixOy薄膜导电(sh)性较差,一般ؓ(f)l缘体,?x)导致RC延迟增加?br />
以脉冲的方式向反应腔中通入Mn(EtCp)2蒸气Q之与衬底表面的Si-H或Si-OHzL基团发生反?Mn(EtCp)2中某一个化学键断裂与衬底表面的(zhn)挂键成?Q在衬底上Ş成密集且均匀且密集吸附的Mn(EtCp)2?通入Ҏ(gu)用气体,以将反应腔中多余的Mn(EtCp)2蒸气以及(qing)气态的反应副物吹z干净;以脉冲的方式向反应腔中通入NH3气体Q同时开启等d体发生器使其늦产生NH3{离子体Qƈ与吸附于衬底表面的Mn(EtCp)2发生化学反应(NH3{离子体与Mnq接的苯环键打断Qƈ与Mn成键)。通入Ҏ(gu)用气体,以将反应腔中多余的NH3{离子体以及(qing)反应副物吹z干净Q获得化锰薄膜?br />
通过以上Ҏ(gu)制成的化锰薄膜h很多优点Q如制作工艺单,无需后退火,可直接在介质上Ş成MnxNyL层薄膜。化锰薄膜h很好的均匀性和表面qx度,较低的电(sh)ȝ。希望大家可以通过q些信息Q进一步增加对氮化锰薄膜的了解。同Ӟ也能间接的了解到Q化锰的应用范围?br />
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其实Q作ZU化材料,氮化?/strong>可以应用在不同的领域中。由于锰、的各U作用,在炼刉强度钢、不锈钢、耐热钢时需要同时加人锰、元素。以单质形式加入锰、两种元素Ӟ存在如的溶解度低、密度小、不易加入及(qing)氮的d量不易控制等~点。然而,以锰化合物形式加入Ӟ不仅易于加入Qƈ且锰、的利用率也高?br />
Z能够加深大家?a href="/protype114916.html" target="_blank">氮化?/strong>的了解,掌握更多关于氮化?/strong>的应用范_(d)向大家单的讲一下化锰薄膜的制作方法。传l的Mn基阻挡层主要通过PVD共沉UCuMn复合材料Q然后用热退火处理,使Mn扩散介质表面来实现。但是,在退火过E中QCu与low-k(比如SiCOH)介质直接接触Q将?x)导致Cu在介质材料中扩散;而且形成的MnSixOy薄膜导电(sh)性较差,一般ؓ(f)l缘体,?x)导致RC延迟增加?br />