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氮化硅的品質對應用效果的影響
來源:http://www.zhengbodiaosu.com/news1077215.html發布時間:2025/7/2 14:47:00
在選購氮化硅時,需要通過注意多方面的細節,確保氮化硅的品質,且品質的好壞,也會對應用效果造成一定的影響。那么,氮化硅的品質對其應用效果的影響主要體現在哪些方面呢?
一、機械性能:硬度與韌性決定耐用性
? 硬度與耐磨性?,氮化硅的莫氏硬度達9.5(接近金剛石10),可大幅降低磨損率。若純度不足或晶界存在缺陷,耐磨性顯著下降,導致軸承、切削工具等部件在高壓、高速工況下快速失效。
?斷裂韌性與抗彎強度?,氮化硅抗彎強度>800 MPa,斷裂韌性6-8 MPa·m1/2?45。低品質材料因晶粒尺寸不均或氣孔率高,易在機械沖擊下破裂。
二、熱學性能:高溫穩定性與散熱效率
? 熱導率差異?,高純度β-Si?N?熱導率理論上限為169 W/mK,但實際受晶格氧含量影響:氧雜質每增加1 wt%,熱導率下降約30%?。低導熱材料無法滿足大功率電子器件散熱需求。
? 抗熱震性?,熱膨脹系數需穩定在3.1–3.2×10??/℃。若燒結工藝不達標,劇烈溫變(>50℃/s)會導致探針臺分層開裂,或渦輪葉片熱疲勞失效。
三、化學穩定性:耐腐蝕性影響壽命
氮化硅在強酸(除氫氟酸)、強堿及鹽溶液中幾乎無腐蝕(10% H?SO?浸泡1000小時無損?5)。但若晶界相含低穩定性添加劑,在高溫酸堿環境下易發生晶間腐蝕,縮短化工閥門、反應器部件壽命。
四、電學性能:絕緣性與半導體兼容性
? 絕緣可靠性,高致密氮化硅擊穿電壓達25 kV/mm?2,適合高壓絕緣層。氣孔率>0.5%時,漏電流增加引發半導體器件失效。
? 界面匹配性?,熱膨脹系數與硅芯片(3.0×10??/℃)匹配,劣質材料因熱應力失配導致芯片封裝開裂?。
總之,氮化硅的品質對其應用效果起到重要作用,因此,在選購氮化硅時,要通過注意純度、?粒度與比表面積?、?相組成、?氧含量、?密度與導熱系數?、?檢測報告等細節,確保氮化硅的品質是合格的。
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