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氮化¼‹…厂家列丑և ¿U常è§åˆ¶å¤‡æ–¹æ³?/h1>
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氮化¼‹?/strong>是一¿Uæ— æœºç‰©åQŒåŒ–å¦å¼ä¸ºSi₃N₄,å…ähœ‰å¤šç§ä¼˜å¼‚性能åQŒå› æ¤åœ¨å¤šä¸ªé¢†åŸŸéƒ½æœ‰òq¿æ³›çš„应用ã€?a href="http://www.zhengbodiaosu.com" target="_blank">氮化¼‹…厂å®?/strong>长期生äñ”åŠæä¾?a href="/product870117.html" target="_blank">氮化¼‹?/strong>åQŒåœ¨ç”Ÿäñ”æ–šw¢æœ‰ç€ä¸°å¯Œçš„ç»éªŒï¼Œäº†è§£å‡ ç§å¸¸è§çš„制备方法。下é¢å°†å‘大家列丑և ¿U常è§çš„制备æ–ÒŽ(gu¨©)³•ã€?/p> å应烧结法(RSåQ‰ï¼šå…ˆé‡‡ç”¨ä¸€èˆ¬æˆåž‹æ³•åQŒå°†¼‹…ç²‰åŽ‹åˆ¶æˆæ‰€éœ€å½¢çŠ¶çš„ç”Ÿå¯ï¼Œç„¶åŽæ”‘Ö…¥æ°®åŒ–炉进行预氮化åQˆéƒ¨åˆ†æÛ化)烧结处ç†ã€‚预氮化åŽçš„生å¯å·²å…·æœ‰ä¸€å®šçš„强度åQŒå¯ä»¥è¿›è¡Œå„¿Uæœºæ¢°åŠ å·¥ã€‚åœ¨¼‹…熔点的温度以上åQŒå°†ç”Ÿå¯å†ä¸€‹Æ¡è¿›è¡Œå®Œå…¨æÛ化烧¾l“,得到ž®ºå¯¸å˜åŒ–很å°çš„äñ”å“ã€?/p>
çƒåŽ‹çƒ§ç»“æ³•ï¼ˆHPSåQ‰ï¼š˜q™æ˜¯ž®†Si3N4¾_‰æœ«å’Œå°‘釿·»åР剂åQˆå¦‚MgOã€Al2O3ã€MgF2ã€Fe2O3½{‰ï¼‰æ··åˆåŽï¼Œåœ?916 MPa以上的压强和1600 ℃以上的温度˜q›è¡ŒçƒåŽ‹æˆåž‹çƒ§ç»“的方法ã€?/p>
常压烧结法(PLSåQ‰ï¼šåœ¨æé«˜çƒ§¾l“æÛ气氛压力斚w¢åQŒåˆ©ç”¨Si3N4分解温度å‡é«˜çš„æ€§è´¨åQŒåœ¨1700-1800℃温度范围内˜q›è¡Œå¸¸åŽ‹çƒ§ç»“åŽï¼Œå†åœ¨1800-2000℃温度范围内实施气压烧结ã€?/p>
çƒå应法åQšè¿™æ˜¯æÛ化硅早期的制备方法之一åQŒä¸»è¦é€šè¿‡é«˜æ¸©ä¸‹æ°}气和¼‹…粉的ååº”ç”ŸæˆæÛ化硅。这¿U方法简å•ã€æ˜“æ“作åQŒä½†äº§ç‰©¾U¯åº¦è¾ƒä½ŽåQŒä¸”çƒååº”æ¸©åº¦è¦æ±‚较高ã€?/p>

气相沉积法:˜q™æ˜¯ä¸€¿UåŒ–å¦æ°”相沉¿U¯ï¼ˆCVDåQ‰æŠ€æœ¯ï¼Œä¸»è¦åˆ©ç”¨æ°®æ°”å’Œç¡…æ°”æØœåˆç‰©åœ¨é«˜æ¸©ä¸‹ååº”ç”Ÿæˆæ°®åŒ–¼‹…薄膜。这¿Uæ–¹æ³•å…·æœ‰æˆæœ¬ä½Žã€å应速率快ç‰ä¼˜ç‚¹åQŒåŒæ—¶å¯ä»¥ç”¨äºŽåˆ¶å¤‡é«˜è´¨é‡çš„æÛ化硅薄膜ã€?/p>
液相沉积法:利用液体å应物将氮化¼‹…生长在¼‹…晶片ç‰åŸºç‰‡ä¸Šçš„一¿U制备方法。该æ–ÒŽ(gu¨©)³•å…ähœ‰å·¥è‰º½Ž€å•ã€æŽ§åˆ¶æ–¹ä¾¿ç‰ä¼˜ç‚¹åQŒä½†ç”Ÿé•¿é€ŸçŽ‡è¾ƒæ…¢åQŒä¸”å¯èƒ½æ¶‰åŠæœ‰æ¯’物质的ä‹É用ã€?/p>
æ¤å¤–åQŒè¿˜æœ‰æº¶èƒ?å‡èƒ¶æ³•ç‰å…¶ä»–制备氮化¼‹…çš„æ–ÒŽ(gu¨©)³•ã€‚è¿™äº›æ–¹æ³•å„æœ‰ä¼˜¾~ºç‚¹åQŒå…·ä½“é€‰æ‹©å“ªç§æ–ÒŽ(gu¨©)³•å–决于应用需求ã€è®¾å¤‡æ¡ä»¶ã€æˆæœ¬é¢„½Ž—ç‰å› ç´ ã€‚åœ¨åˆ¶å¤‡æ°®åŒ–¼‹…çš„˜q‡ç¨‹ä¸ï¼ŒåŽŸæ–™çš„é€‰æ‹©ã€é¢„处ç†ã€å应æ¡ä»¶æŽ§åˆ¶ã€äñ”物处ç†ç‰çŽ¯èŠ‚éƒ½éžå¸”R‡è¦ï¼Œéœ€è¦å‡†¼‹®æŽ§åˆ¶ä»¥¼‹®ä¿äº§å“的质é‡å’Œæ€§èƒ½ã€?/p>
下一æ¡ï¼šæ°®åŒ–¼‹…é“的生产工艺åŠåº”用范围
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氮化¼‹?/strong>是一¿Uæ— æœºç‰©åQŒåŒ–å¦å¼ä¸ºSi₃N₄,å…ähœ‰å¤šç§ä¼˜å¼‚性能åQŒå› æ¤åœ¨å¤šä¸ªé¢†åŸŸéƒ½æœ‰òq¿æ³›çš„应用ã€?a href="http://www.zhengbodiaosu.com" target="_blank">氮化¼‹…厂å®?/strong>长期生äñ”åŠæä¾?a href="/product870117.html" target="_blank">氮化¼‹?/strong>åQŒåœ¨ç”Ÿäñ”æ–šw¢æœ‰ç€ä¸°å¯Œçš„ç»éªŒï¼Œäº†è§£å‡ ç§å¸¸è§çš„制备方法。下é¢å°†å‘大家列丑և ¿U常è§çš„制备æ–ÒŽ(gu¨©)³•ã€?/p> å应烧结法(RSåQ‰ï¼šå…ˆé‡‡ç”¨ä¸€èˆ¬æˆåž‹æ³•åQŒå°†¼‹…ç²‰åŽ‹åˆ¶æˆæ‰€éœ€å½¢çŠ¶çš„ç”Ÿå¯ï¼Œç„¶åŽæ”‘Ö…¥æ°®åŒ–炉进行预氮化åQˆéƒ¨åˆ†æÛ化)烧结处ç†ã€‚预氮化åŽçš„生å¯å·²å…·æœ‰ä¸€å®šçš„强度åQŒå¯ä»¥è¿›è¡Œå„¿Uæœºæ¢°åŠ å·¥ã€‚åœ¨¼‹…熔点的温度以上åQŒå°†ç”Ÿå¯å†ä¸€‹Æ¡è¿›è¡Œå®Œå…¨æÛ化烧¾l“,得到ž®ºå¯¸å˜åŒ–很å°çš„äñ”å“ã€?/p> çƒåŽ‹çƒ§ç»“æ³•ï¼ˆHPSåQ‰ï¼š˜q™æ˜¯ž®†Si3N4¾_‰æœ«å’Œå°‘釿·»åР剂åQˆå¦‚MgOã€Al2O3ã€MgF2ã€Fe2O3½{‰ï¼‰æ··åˆåŽï¼Œåœ?916 MPa以上的压强和1600 ℃以上的温度˜q›è¡ŒçƒåŽ‹æˆåž‹çƒ§ç»“的方法ã€?/p> 常压烧结法(PLSåQ‰ï¼šåœ¨æé«˜çƒ§¾l“æÛ气氛压力斚w¢åQŒåˆ©ç”¨Si3N4分解温度å‡é«˜çš„æ€§è´¨åQŒåœ¨1700-1800℃温度范围内˜q›è¡Œå¸¸åŽ‹çƒ§ç»“åŽï¼Œå†åœ¨1800-2000℃温度范围内实施气压烧结ã€?/p> çƒå应法åQšè¿™æ˜¯æÛ化硅早期的制备方法之一åQŒä¸»è¦é€šè¿‡é«˜æ¸©ä¸‹æ°}气和¼‹…粉的ååº”ç”ŸæˆæÛ化硅。这¿U方法简å•ã€æ˜“æ“作åQŒä½†äº§ç‰©¾U¯åº¦è¾ƒä½ŽåQŒä¸”çƒååº”æ¸©åº¦è¦æ±‚较高ã€?/p> 气相沉积法:˜q™æ˜¯ä¸€¿UåŒ–å¦æ°”相沉¿U¯ï¼ˆCVDåQ‰æŠ€æœ¯ï¼Œä¸»è¦åˆ©ç”¨æ°®æ°”å’Œç¡…æ°”æØœåˆç‰©åœ¨é«˜æ¸©ä¸‹ååº”ç”Ÿæˆæ°®åŒ–¼‹…薄膜。这¿Uæ–¹æ³•å…·æœ‰æˆæœ¬ä½Žã€å应速率快ç‰ä¼˜ç‚¹åQŒåŒæ—¶å¯ä»¥ç”¨äºŽåˆ¶å¤‡é«˜è´¨é‡çš„æÛ化硅薄膜ã€?/p> 液相沉积法:利用液体å应物将氮化¼‹…生长在¼‹…晶片ç‰åŸºç‰‡ä¸Šçš„一¿U制备方法。该æ–ÒŽ(gu¨©)³•å…ähœ‰å·¥è‰º½Ž€å•ã€æŽ§åˆ¶æ–¹ä¾¿ç‰ä¼˜ç‚¹åQŒä½†ç”Ÿé•¿é€ŸçŽ‡è¾ƒæ…¢åQŒä¸”å¯èƒ½æ¶‰åŠæœ‰æ¯’物质的ä‹É用ã€?/p> æ¤å¤–åQŒè¿˜æœ‰æº¶èƒ?å‡èƒ¶æ³•ç‰å…¶ä»–制备氮化¼‹…çš„æ–ÒŽ(gu¨©)³•ã€‚è¿™äº›æ–¹æ³•å„æœ‰ä¼˜¾~ºç‚¹åQŒå…·ä½“é€‰æ‹©å“ªç§æ–ÒŽ(gu¨©)³•å–决于应用需求ã€è®¾å¤‡æ¡ä»¶ã€æˆæœ¬é¢„½Ž—ç‰å› ç´ ã€‚åœ¨åˆ¶å¤‡æ°®åŒ–¼‹…çš„˜q‡ç¨‹ä¸ï¼ŒåŽŸæ–™çš„é€‰æ‹©ã€é¢„处ç†ã€å应æ¡ä»¶æŽ§åˆ¶ã€äñ”物处ç†ç‰çŽ¯èŠ‚éƒ½éžå¸”R‡è¦ï¼Œéœ€è¦å‡†¼‹®æŽ§åˆ¶ä»¥¼‹®ä¿äº§å“的质é‡å’Œæ€§èƒ½ã€?/p>